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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
比较
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
总分
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
27
读取速度,GB/s
13.2
15.7
写入速度,GB/s
8.8
10.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2301
3052
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB RAM的比较
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
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