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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
比较
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
总分
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
总分
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
52
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
52
读取速度,GB/s
13.3
14.7
写入速度,GB/s
8.2
11.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1982
2814
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
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