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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
比较
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
总分
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
总分
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
41
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
22
读取速度,GB/s
13.3
17.5
写入速度,GB/s
8.2
12.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1982
3057
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
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AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
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