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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
比较
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Maxsun MSD48G32Q3 8GB
总分
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
总分
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
94
左右 56% 更低的延时
需要考虑的原因
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
94
读取速度,GB/s
13.3
13.5
写入速度,GB/s
8.2
11.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1982
2771
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
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Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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