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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
比较
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
总分
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
41
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
21
读取速度,GB/s
13.3
17.6
写入速度,GB/s
8.2
12.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1982
3126
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
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