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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
比较
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
总分
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
12.3
21.8
写入速度,GB/s
7.1
17.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1952
3788
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
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