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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
比较
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
总分
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
12.3
17.2
写入速度,GB/s
7.1
12.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1952
3100
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
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