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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
13.9
17.6
写入速度,GB/s
8.6
13.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3038
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
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