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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
差异
规格
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差异
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
13.9
18.2
写入速度,GB/s
8.6
14.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3353
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
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