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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
差异
规格
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差异
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
34
读取速度,GB/s
13.9
15.3
写入速度,GB/s
8.6
11.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2960
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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