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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
差异
规格
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差异
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
13.9
16.6
写入速度,GB/s
8.6
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3009
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
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