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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
差异
规格
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差异
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
37
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
22
读取速度,GB/s
13.9
18.2
写入速度,GB/s
8.6
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3138
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
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