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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
13.9
14.2
写入速度,GB/s
8.6
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2873
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
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