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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
13.9
16.8
写入速度,GB/s
8.6
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3337
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
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Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
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Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
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