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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
37
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
20
读取速度,GB/s
13.9
19.3
写入速度,GB/s
8.6
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3492
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
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