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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
13.9
18.5
写入速度,GB/s
8.6
16.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3873
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
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Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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