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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
71
左右 48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
71
读取速度,GB/s
13.9
14.9
写入速度,GB/s
8.6
7.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
1631
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Mushkin 991586 2GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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