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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
13.9
18.3
写入速度,GB/s
8.6
15.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3615
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
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