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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
13.9
16.7
写入速度,GB/s
8.6
13.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3398
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
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