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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
13.9
20.6
写入速度,GB/s
8.6
16.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3639
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
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