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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
13
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
25
读取速度,GB/s
13.9
13.0
写入速度,GB/s
8.6
11.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2931
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
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