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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
42
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
42
读取速度,GB/s
13.9
16.3
写入速度,GB/s
8.6
14.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3072
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
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