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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
13.9
19.8
写入速度,GB/s
8.6
16.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3920
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
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