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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
差异
规格
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差异
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
13.9
17.4
写入速度,GB/s
8.6
12.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3310
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
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