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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
13.9
17.7
写入速度,GB/s
8.6
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3055
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
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