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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
13.9
13.2
写入速度,GB/s
8.6
10.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2595
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
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