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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
差异
规格
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
13.9
16.1
写入速度,GB/s
8.6
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2916
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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