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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
13.9
12.6
写入速度,GB/s
8.6
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2759
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
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