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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
40
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
40
读取速度,GB/s
13.9
15.6
写入速度,GB/s
8.6
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3034
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
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