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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
13.9
17.4
写入速度,GB/s
8.6
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3195
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
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