RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
71
左右 48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
71
读取速度,GB/s
13.9
16.2
写入速度,GB/s
8.6
8.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
1979
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5402-030.A01LF 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5431-005.A00LF 512MB
Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link