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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
37
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
22
读取速度,GB/s
13.9
16.9
写入速度,GB/s
8.6
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3166
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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