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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
48
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
48
读取速度,GB/s
13.9
16.8
写入速度,GB/s
8.6
15.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3047
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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