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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
13.9
22.6
写入速度,GB/s
8.6
16.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3837
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
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