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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
13.9
16.0
写入速度,GB/s
8.6
12.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3291
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
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Kingston 9905744-023.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
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