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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston 9905701-032.A00G 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
65
左右 43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
65
读取速度,GB/s
13.9
15.6
写入速度,GB/s
8.6
7.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
1820
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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