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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston 9905734-022.A00G 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
差异
规格
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston 9905734-022.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
34
读取速度,GB/s
13.9
15.7
写入速度,GB/s
8.6
12.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3142
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
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