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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston 9965589-007.D01G 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 -6% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
35
读取速度,GB/s
13.9
9.1
写入速度,GB/s
8.6
7.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2078
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
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