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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston 9965640-006.A01G 32GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 -9% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
34
读取速度,GB/s
13.9
11.0
写入速度,GB/s
8.6
7.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2220
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
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Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
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