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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
66
左右 44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
66
读取速度,GB/s
13.9
16.4
写入速度,GB/s
8.6
6.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
1737
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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