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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
13.9
13.6
写入速度,GB/s
8.6
10.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2406
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
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Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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