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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB

总分
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

总分
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Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB

Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB

差异 规格 评论

差异

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB 需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB 需要考虑的原因
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 37
    左右 -54% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16 left arrow 13.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.3 left arrow 8.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 16.0
  • 写入速度，GB/s
    8.6 left arrow 13.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2395 left arrow 2923

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较

SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
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Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
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内存RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
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Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
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内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
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内存RAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
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内存RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
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内存RAM
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
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Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston 9905668-001.A00G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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