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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
48
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
48
读取速度,GB/s
13.9
16.6
写入速度,GB/s
8.6
15.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2963
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
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Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
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