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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
13.9
18.8
写入速度,GB/s
8.6
16.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3664
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
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