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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
36
读取速度,GB/s
13.9
15.4
写入速度,GB/s
8.6
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2720
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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