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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
37
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
22
读取速度,GB/s
13.9
15.0
写入速度,GB/s
8.6
6.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2272
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
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