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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
37
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
22
读取速度,GB/s
13.9
18.1
写入速度,GB/s
8.6
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3254
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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