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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
36
读取速度,GB/s
13.9
16.4
写入速度,GB/s
8.6
11.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2653
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
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Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
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