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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
13.9
17.4
写入速度,GB/s
8.6
13.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3063
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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