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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
34
读取速度,GB/s
13.9
16.7
写入速度,GB/s
8.6
12.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2584
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
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